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NGTB15N120FL2WG_V01

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NGTB15N120FL2WG_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-4-11 18:15:00

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