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NGTB30N135IHRWG

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB30N135IHRWG

Package:TO-247-3;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

DTGT30N135

Highspeedswitching

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationssuchasIH(inductionheating),microwaveoven&etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavio

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

KGF30N135NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT30N135KDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT30N135NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N135IHRWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    850μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/250ns

  • 測試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON
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代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON/安森美
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TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
TO247
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
ON
13+
TO-247
190
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
更多NGTB30N135IHRWG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 10:37:00