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NGTB45N60S1WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NGTB45N60S1WG |
參數(shù)屬性 | NGTB45N60S1WG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 45A 600V TO-247 |
功能描述 | IGBT - Inverter Welding |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
83.82 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-12 22:59:00 |
人工找貨 | NGTB45N60S1WG價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGTB45N60S1WG規(guī)格書詳情
NGTB45N60S1WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB45N60S1WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NGTB45N60S1WG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,45A
- 開關(guān)能量:
1.25mJ(開),530μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
72ns/132ns
- 測試條件:
400V,45A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 45A 600V TO-247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7463 |
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障 |
詢價(jià) | ||
ON |
18+ |
TO-247 |
39 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
18399 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
1926+ |
TO-3P |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
19+ |
10000 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | |||
ONSEMI |
21+ |
TO-247 |
3968 |
百域芯優(yōu)勢 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
TO-247 |
35069 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |