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NGTD30T120F2WP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGTD30T120F2WP |
| 參數(shù)屬性 | NGTD30T120F2WP 封裝/外殼為模具；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| 功能描述 | IGBT Die |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
83.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-12 18:30:00 |
NGTD30T120F2WP規(guī)格書詳情
NGTD30T120F2WP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTD30T120F2WP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGTD30T120F2WP
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SMD |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
PTIF |
P |
9999999999 |
20 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SMD |
907 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ONSemiconductor |
18+ |
NA |
3531 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
模具 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
