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NGTG35N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG35N65FL2WG

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB35N65FL2WG

IGBT-FieldStopII

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB35N65FL2WG

IGBT-FieldStopII

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTG35N65FL2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    840μJ（開），280μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    72ns/132ns

  • 測試條件：

    400V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多NGTG35N65FL2WG供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 11:08:00

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