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NGW40T65M3DFP

650 V, 40 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode

GeneralDescription TheNGW40T65M3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBT)featuring third-generationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stop(FS)structures. TheNGW40T65M3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses,andhasashortcircu

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多NGW40T65M3DFP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-19 9:30:00