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NIF9N05CL_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NIF9N05CL_V01
廠商型號(hào)

NIF9N05CL_V01

功能描述

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT?223 Package

文件大小

195.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-26 22:50:00

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NIF9N05CL_V01規(guī)格書詳情

Benefits

? High Energy Capability for Inductive Loads

? Low Switching Noise Generation

Features

? Diode Clamp Between Gate and Source

? ESD Protection ? HBM 5000 V

? Active Over?Voltage Gate to Drain Clamp

? Scalable to Lower or Higher RDS(on)

? Internal Series Gate Resistance

? Pb?Free Packages are Available

Applications

? Automotive and Industrial Markets:

Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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