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NIF9N05CLT1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NIF9N05CLT1
廠商型號

NIF9N05CLT1

功能描述

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT?223 Package

文件大小

195.58 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 11:58:00

NIF9N05CLT1規(guī)格書詳情

Benefits

? High Energy Capability for Inductive Loads

? Low Switching Noise Generation

Features

? Diode Clamp Between Gate and Source

? ESD Protection ? HBM 5000 V

? Active Over?Voltage Gate to Drain Clamp

? Scalable to Lower or Higher RDS(on)

? Internal Series Gate Resistance

? Pb?Free Packages are Available

Applications

? Automotive and Industrial Markets:

Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NIF9N05CLT1

  • 功能描述:

    MOSFET 52V 2.6A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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