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NP109N04PUJ-E2B-AY分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
NP109N04PUJ-E2B-AY |
參數(shù)屬性 | NP109N04PUJ-E2B-AY 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR |
功能描述 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
318.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-22 18:29:00 |
人工找貨 | NP109N04PUJ-E2B-AY價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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NP109N04PUJ-E2B-AY規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
? Low input capacitance
Ciss = 6900 pF TYP.
? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NP109N04PUJ-E2B-AY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
110A(Ta)
- 描述:
TRANSISTOR
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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