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NP36P04KDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P04KDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP36P04KDG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP36P04SDG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP36P04SDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Renesas
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RENESAS/瑞薩
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十年配單,只做原裝
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更多NP36P04SLG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 17:57:00

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