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NP40N10YDF-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ?RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ?RDS(on

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP40N10YDF-E2-AY

100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

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更多NP40N10YDF-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2025-3-25 17:01:00

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