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NP75P04YLG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP75P04YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?37.5A) ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=?5V,ID=?37.5A) ?Logicleveldrivetype ?Gat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP75P04YLG-E1-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 13:46:00

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