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NP80N03KDE-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP80N03KDE-E1-AY
廠商型號

NP80N03KDE-E1-AY
功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
文件大小

219.37 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 20:00:00
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NP80N03KDE-E1-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Channel Temperature 175 degree rated

? Super Low on-state Resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2600 pF TYP.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NP80N03KDE-E1-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
VBsemi
21+
TO263
10026
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
24+
TO220
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
 詢價
VBsemi
24+
TO263
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價
NEC
24+
TO-263
8866
詢價
NEC
22+
TO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
NEC
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
NEC
TO-263
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
VBsemi
22+23+
TO263
8000
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口
 詢價

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