NP82N04MDG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NP82N04MDG
功能描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小	326.96 Kbytes
頁面數(shù)量	10 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱	RENESAS【瑞薩】
中文名稱	瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-4-30 23:00:00
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DESCRIPTION

The NP82N04MDG and NP82N04NDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Logic level

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

? High current rating

ID(DC) = ±82 A

? Low input capacitance

Ciss = 6000 pF TYP.

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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