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NP82N055ELE-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP82N055ELE-E1-AY
廠商型號

NP82N055ELE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

431.49 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-20 22:59:00

NP82N055ELE-E1-AY規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A)

RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

? Low input capacitance

Ciss = 4400 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP82N055ELE-E1-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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