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NP82N06MLG-S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP82N06MLG-S18-AY
廠商型號(hào)

NP82N06MLG-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

326.03 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 23:00:00

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NP82N06MLG-S18-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP82N06MLG and NP82N06NLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Logic level

? Built-in gate protection diode

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)

? High current rating

ID(DC) = ±82 A

? Low input capacitance

Ciss = 5700 pF TYP.

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP82N06MLG-S18-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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