訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>NSS12100XV6T1G>芯片詳情
NSS12100XV6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):NSS12100XV6T1G品牌:ON/安森美
NSS12100XV6T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-363/SOT-563,SOT-666的NSS12100XV6T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NSS12100XV6T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
440mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,2V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-563
- 描述:
TRANS PNP 12V 1A SOT563
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市廣霖泰科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
謝功名
- 手機(jī):
18126108519
- 詢價(jià):
- 電話:
18126108519
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)坂田街道馬安堂社區(qū)環(huán)城南路5號(hào)坂田國(guó)際中心C棟四層409
相近型號(hào)
- NSS12200LT1GIC
- NSS12100M3T5G-ON
- NSS12200WT1G
- NSS12100M3T5G
- NSS10200
- NSS12201L
- NSS085N100S
- NSS12201LT1G
- NSS085N100P5
- NSS085N100C
- NSS06AOXZ
- NSS045N100C
- NSS12500UW3
- NSS12500UW3T2G
- NSS040N
- NSS040A0X-62Z
- NSS12501UW3
- NSS12501UW3T1G
- NSS010A0XZ
- NSS12501UW3T2G
- NSRZ680M16V6.3X5F
- NSS12600CF8T1G
- NSRZ680M10V6.3X5F
- NSS12601CF8
- NSRZ4R7M35V4X5F
- NSS12601CF8T1G
- NSRZ470M25V6.3X5F
- NSS13-LC-V-T/R
- NSRZ470M16V6.3X5F
- NSS13-RC-V-T/R
- NSRZ330M35V6.3X5F
- NSS1616IT-6-E
- NSRZ330M25V6.3X5F
- NSS1C200
- NSRZ330M10V5X5F
- NSS1C200L
- NSS1C200LT1G
- NSRZ270M6.3V4X5F
- NSRZ220M35V5X5F
- NSS1C200LT1GIC
- NSS1C200LT1GSOT
- NSRZ220M25V5X5F
- NSRZ220M16V5X5F
- NSRZ181M6.3V6.3X5F
- NSRZ180M10V4X5F
- NSS1C200MZ4
- NSS1C200MZ4T1G
- NSRZ150M35V5X5F
- NSS1C200MZ4T1GIC
- NSRZ150M25V5X5F