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NSVF4015SG4T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NSVF4015SG4T1G
廠商型號

NSVF4015SG4T1G

參數(shù)屬性

NSVF4015SG4T1G 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

功能描述

RF Transistor for Low Noise Amplifier
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

絲印標(biāo)識

GN

封裝外殼

SC-82FL / 4-SMD,扁平引線

文件大小

222.49 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 17:45:00

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NSVF4015SG4T1G規(guī)格書詳情

NSVF4015SG4T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSVF4015SG4T1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NSVF4015SG4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-82FL/MCPH4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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