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NTBG022N120M3S_V02中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTBG022N120M3S_V02
廠商型號(hào)

NTBG022N120M3S_V02

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

文件大小

324.94 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-22 22:59:00

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NTBG022N120M3S_V02規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 22 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 151 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 146 pF)

? 100 Avalanche Tested

? These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Energy Storage Systems

? Switch Mode Power Supplies (SMPS)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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