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NTBG030N120M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTBG030N120M3S
廠商型號(hào)

NTBG030N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

絲印標(biāo)識(shí)

BG030N120M3S

封裝外殼

D2PAK-7L

文件大小

232.84 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 10:06:00

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NTBG030N120M3S規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? UPS (Uninterruptible Power Supplies)

? Energy Storage Systems

? SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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