NTE129P中文資料NTE數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NTE129P |
| 功能描述 | Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp |
| 文件大小 |
22.21 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NTE Electronics |
| 企業(yè)簡稱 |
NTE |
| 中文名稱 | NTE Electronics官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-30 17:34:00 |
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NTE129P規(guī)格書詳情
Description:
The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications.
Features:
? High VCE Ratings
? Exceptional Power Dissipation Capability
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NTE129P
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
TRANSISTOR PNP SILICON 100V IC= 1A TO-237 GENERAL PURPOSE AMP
- 功能描述：
Bulk
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor
- Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
80V; Transition Frequency Typ
- ft：
50MHz; Power Dissipation
- Pd：
850mW; DC Collector
- Current：
-1A; DC Current Gain
- hFE：
300; No. of
- Pins：
3
- 功能描述：
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-237
