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NTR4101PT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTR4101PT1G
廠商型號

NTR4101PT1G

功能描述

Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23

文件大小

56.55 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-25 9:48:00

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NTR4101PT1G規(guī)格書詳情

Features

? Leading ?20 V Trench for Low RDS(on)

? ?1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive

? SOT?23 Surface Mount for Small Footprint

? Pb?Free Package is Available

Applications

? Load/Power Management for Portables

? Load/Power Management for Computing

? Charging Circuits and Battery Protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTR4101PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -3.2A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
SOT23
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