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NTTFS012N10MD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NTTFS012N10MD
廠商型號(hào)

NTTFS012N10MD

參數(shù)屬性

NTTFS012N10MD 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 100 V, 14.4 m, 45 A
MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

文件大小

267.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 22:59:00

NTTFS012N10MD規(guī)格書詳情

NTTFS012N10MD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NTTFS012N10MD晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Shielded Gate MOSFET Technology

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? Low QRR, Soft Recovery Body Diode

? Low QOSS to Improve Light Load Efficiency

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free

and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Primary Switch in Isolated DC?DC Converter

? Synchronous Rectification (SR) in DC?DC and AC?DC

? AC?DC Adapters (USB PD) SR

? Load Switch, Hotswap, and ORing Switch

? BLDC Motor and Solar Inverter

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NTTFS012N10MD

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

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