NUS3045MNT1G_電路保護(hù) TVS-混合技術(shù)通用-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:NUS3045MNT1G品牌:onsemi

資料說明:IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8

NUS3045MNT1G是電路保護(hù) > TVS - 混合技術(shù)。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-VDFN 裸露焊盤的NUS3045MNT1GTVS - 混合技術(shù)混合技術(shù) TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)產(chǎn)品族中的產(chǎn)品屬于過壓保護(hù)產(chǎn)品,其中結(jié)合了基于多種技術(shù)的保護(hù)機(jī)制,例如串聯(lián)連接的 MOV(金屬氧化物壓敏電阻)和 GDT(氣體放電管),旨在同時獲得低漏電流和自恢復(fù)箝位工作特性。

  • 芯片型號:

    nus3045mnt1g

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NUS3045MNT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    電路保護(hù) > TVS - 混合技術(shù)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 電壓 - 箝位:

    7.08V

  • 技術(shù):

    混合技術(shù)

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN(3.3x3.3)

  • 描述:

    IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8

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