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NVD5C668NL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=49A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NVD5C668NL

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5C668NLT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NVD5C668NLT4G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5C668NL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD5C668NL

PowerMOSFET60V,8.9m,48A,SingleN??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMFD5C668NL

MOSFET??Power,DualN-Channel60V,6.5m,68A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVMFD5C668NLWF?WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Freean

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多NVD5C668NL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-20 16:22:00

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