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NVH4L022N120M3S_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTH4L022N120M3S_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,22mohm,1200V,M3,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?LowSwitchingLosses(Typ.EON490Jat40A,800V) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalApplications ?SolarInverters ?ElectricV

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NVH4L022N120M3S_V01供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 16:10:00

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