NX5315EH中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
NX5315EH規(guī)格書詳情
1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION
InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
DESCRIPTION
The NX5315EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured
Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is
designed for application up to 1.25 Gb/s.
APPLICATION
? FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system
FEATURES
? Optical output power Po = 13.0 mW
? Low threshold current lth = 6 mA
? Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A
? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C
? InGaAs monitor PIN-PD
? CAN package φ 5.6 mm
? Focal point 6.35 mm
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NX5315EH
- 制造商：
CEL
- 制造商全稱：
CEL
- 功能描述：
1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美臺) |
24+ |
SMD50326P |
7350 |
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詢價 | ||
NEC原裝 |
25+ |
CAN |
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詢價 | ||
NEC |
24+ |
CAN |
880000 |
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NEC原裝 |
25+23+ |
CAN |
26121 |
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DIODES |
1945/2025 |
16 |
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DIODES/美臺 |
23+ |
NA |
12730 |
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詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
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詢價 | ||
NEXIA |
2447 |
QFP |
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NEC |
13+ |
DIP |
2695 |
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詢價 | ||
NEXIA |
1923+ |
QFN |
12008 |
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 |
