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NX6008NBKS中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NX6008NBKS
廠商型號

NX6008NBKS

功能描述

60 V, dual N-channel Trench MOSFET

絲印標識

G6

封裝外殼

SOT363

文件大小

288.45 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-16 9:06:00

NX6008NBKS規(guī)格書詳情

description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

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