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SMS2009E	文件：669.51 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMS2009E-C	文件：582.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SRN2009T	文件：416.22 Kbytes Page：4 Pages	Semi-shieldedPowerInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
SRU2009	文件：249.63 Kbytes Page：2 Pages	ShieldedSMDPowerInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
SRU2009	文件：279.65 Kbytes Page：2 Pages	ShieldedSMDPowerInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
SSD2009	文件：183.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSD2009A	文件：183.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSD2009A	文件：189.6 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSD2009ATF	文件：189.6 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?LowerRDS(ON) ?ImprovedInductiveRuggedness ?FastSwitchingTimes ?LowInputCapacitance ?ExtendedSafeOperatingArea ?ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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