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PBRN113ET-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBRN113ET-Q
廠商型號(hào)

PBRN113ET-Q

功能描述

40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

絲印標(biāo)識(shí)

7G

封裝外殼

SOT23

文件大小

270.15 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 8:48:00

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PBRN113ET-Q規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBRP113ET-Q

2. Features and benefits

? 600 mA output current capability

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High current gain hFE

? Reduces component count

? Built-in bias resistors

? Reduces pick and place costs

? Simplifies circuit design

? ± 10 resistor ratio tolerance

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Digital application in automotive and industrial segments

? Switching loads

? Medium current peripheral driver

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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