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PBRN113ZS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PBRN113ZS
廠商型號

PBRN113ZS
參數(shù)屬性

PBRN113ZS 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
功能描述

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW
絲印標(biāo)識

N113ZS
封裝外殼

SC-43A / TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
文件大小

741.87 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-11 22:58:00

PBRN113ZS規(guī)格書詳情

Features

* 800 mA output current capability

* High current gain hFE

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Low collector-emitter saturation voltage

VCEsat

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PBRN113ZS,126

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    500 @ 300mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.15V @ 8mA，800mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
2016+
SOT-23
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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1535+
3000
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