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PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YT

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP123ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123YT

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=10kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP123YT

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123YT-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturatio

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PBRN123YS AMO

  • 功能描述：

    開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP USA Inc.
24+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
Nexperia/安世
17+
SOT-23
3000
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)發(fā)票,假一賠十
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
24+
QFN
1310
原裝現(xiàn)貨100%現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TI/德州儀器
23+
SOT-223
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
2447
SOT23
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
NXP(恩智浦)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
PHI
23+
SOT23-3
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售!
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
78000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
NXP(恩智浦)
21+
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個(gè)朋友
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
24+
QFN
5070
全新原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),原廠原包
 詢價(jià)
更多PBRN123YS AMO供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 14:28:00

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