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PBSS302PD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PBSS302PD
廠商型號(hào)

PBSS302PD

參數(shù)屬性

PBSS302PD 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 4A 6TSOP

功能描述

40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SC-74,SOT-457

文件大小

134.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Philips飛利浦

中文名稱(chēng)

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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PBSS302PD規(guī)格書(shū)詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) single bipolar PNP transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

NPN complement: PBSS302ND

Features

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ 4 A continuous collector current capability IC (DC)

■ Up to 15 A peak current

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS302PDH

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    175 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    110MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4A 6TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PHILIPS/飛利浦
24+
NA/
3000
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