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PBSS3540E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS3540E
廠商型號

PBSS3540E

參數(shù)屬性

PBSS3540E 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.5A SC75

功能描述

40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

109.75 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 11:26:00

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PBSS3540E規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD plastic package.

NPN complement: PBSS2540E.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Low power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS3540E,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-75

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.5A SC75

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
23+
原包裝原封 □□
58499
原裝進口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
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