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PBSS4112PAN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4112PAN
廠商型號(hào)

PBSS4112PAN

功能描述

120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

2R

封裝外殼

DFN2020-6

文件大小

752.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 10:14:00

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PBSS4112PAN規(guī)格書詳情

1.1 General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4112PANP. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.

1.2 Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PBSS4112PAN

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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