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PBSS5160U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PBSS5160U
廠商型號(hào)

PBSS5160U

參數(shù)屬性

PBSS5160U 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

53

封裝外殼

SOT323 / SC-70,SOT-323

文件大小

247.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-12 8:24:00

PBSS5160U規(guī)格書(shū)詳情

1.1 General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a very small

SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160U.

1.2 Features

n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

n High collector current capability IC and ICM

n High collector current gain (hFE) at high IC

n High efficiency due to less heat generation

n Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

n High voltage DC-to-DC conversion

n High voltage MOSFET gate driving

n High voltage motor control

n High voltage power switches (e.g. motors, fans)

n Automotive applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS5160U,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    340mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    185MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Nexperia
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