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PBSS5160V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5160V
廠商型號

PBSS5160V

參數(shù)屬性

PBSS5160V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.9A SOT666

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SOT-563,SOT-666

文件大小

153.79 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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PBSS5160V規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signals (BISS) transistor in a SOT666 plastic package.

NPN complement: PBSS4160V.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High efficiency leading to less heat generation

■ Reduces printed-circuit board area required

■ Cost effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52

Applications

■ Major application segments

◆ Automotive

◆ Telecom infrastructure

◆ Industrial

■ Power management

◆ DC-to-DC conversion

◆ Supply line switching

■ Peripheral driver

◆ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

◆ Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5160V,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    330mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    220MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-563,SOT-666

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.9A SOT666

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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