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PBSS5330PA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PBSS5330PA
廠(chǎng)商型號(hào)

PBSS5330PA

參數(shù)屬性

PBSS5330PA 封裝/外殼為3-PowerUDFN;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 3A 3HUSON

功能描述

30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

封裝外殼

3-PowerUDFN

文件大小

166.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:01:00

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PBSS5330PA規(guī)格書(shū)詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.

NPN complement: PBSS4330PA.

Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

? Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

? Leadless small SMD plastic package with medium power capability

Applications

? Loadswitch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS5330PA,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    320mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 3A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    165MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-PowerUDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-HUSON(2x2)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 3A 3HUSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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