PBSS5350Z分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PBSS5350Z |
參數(shù)屬性 | PBSS5350Z 封裝/外殼為T(mén)O-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 3A SOT223 |
功能描述 | 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SC-73 / TO-261-4,TO-261AA |
文件大小 |
249.49 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-14 17:08:00 |
人工找貨 | PBSS5350Z價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PBSS5350Z規(guī)格書(shū)詳情
1. General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223
(SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4350Z
2. Features and benefits
? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability: IC and ICM
? High collector current gain (hFE) at high IC
? High energy efficiency due to less heat generation
? AEC-Q101 qualified
3. Applications
? DC/DC converters
? Supply line switching
? Battery charger
? LED backlighting
? Linear voltage regulation (LDO)
? Driver in low supply voltage applications, e.g. lamps, LEDs
? Inductive load driver (for example relays, buzzers, motors)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PBSS5350Z/ZLF
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類(lèi)型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-223
- 描述:
TRANS PNP 50V 3A SOT223
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
23+ |
SOT223 |
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