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PD20010TR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PD20010TR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD20010TR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| 功能描述 | RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線） |
| 文件大小 |
240.84 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 13:36:00 |
| 人工找貨 | PD20010TR-E價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD20010TR-E規(guī)格書詳情
PD20010TR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD20010TR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PD20010-E is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD20010-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD20010-E’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 10 W with 11 dB gain @ 2 GHz / 13.6 V
■ Plastic package
■ ESD protection
■ In compliance with the 2002/95/EC European directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD20010TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2GHz
- 增益：
11dB
- 額定電流（安培）：
5A
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（成形引線）
- 描述：
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIEC |
24+ |
模塊 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢 |
詢價(jià) | ||
NIEC/英達(dá) |
24+ |
MODULE |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
SMD |
6698 |
詢價(jià) | ||||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
10RF-Formed-4 |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
21+ |
模塊 |
12588 |
原裝正品,一級(jí)品牌代理 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰 |
詢價(jià) |
