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PD54008-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD54008-E
廠商型號(hào)

PD54008-E

參數(shù)屬性

PD54008-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 25V 500MHZ PWRSO10

功能描述

RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
FET RF 25V 500MHZ PWRSO10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

文件大小

431.29 Kbytes

頁面數(shù)量

28

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:01:00

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PD54008-E規(guī)格書詳情

PD54008-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD54008-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 8 W with 11.5dB gain @ 500 MHz/7.5 V

■ New RF plastic package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PD54008-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    500MHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 25V 500MHZ PWRSO10

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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