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PD55025S-E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD55025S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD55025S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
540.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
23 頁 |
| 生產廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-20 22:59:00 |
| 人工找貨 | PD55025S-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD55025S-E規(guī)格書詳情
PD55025S-E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產的PD55025S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PD55025S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
14.5dB
- 額定電流（安培）：
7A
- 功率 - 輸出：
25W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST(意法) |
21+ |
N/A |
3137 |
全新原裝虧本出 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
10RF-Straight-4 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
STMicro. |
23+ |
PowerSO-10RF |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
10RF-Straight-4 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
30000 |
晶體管-分立半導體產品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST MICROELECTRONICS SEMI |
2023+ |
SMD |
11810 |
安羅世紀電子只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
10RF-Straight-4 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 |
