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PD57006STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57006STR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57006STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線） |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-21 22:30:00 |
| 人工找貨 | PD57006STR-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD57006STR-E規(guī)格書詳情
PD57006STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57006STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57006STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1A
- 功率 - 輸出：
6W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
STM |
1643+ |
POWERSO-10RF |
268 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
PowerSO-10RF |
5590 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
STMicro. |
23+ |
PowerSO-10RF |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 |
