PD57018-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57018-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57018-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
944.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
25 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-23 11:47:00 |
| 人工找貨 | PD57018-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD57018-E規(guī)格書詳情
PD57018-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57018-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57018-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
16.5dB
- 額定電流（安培）：
2.5A
- 功率 - 輸出：
18W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
STM |
24+ |
TO-59 |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-59 |
54658 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
10RF-Formed-4 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
QFN |
8678 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 |
