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PDTA123E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTA123E
廠商型號

PDTA123E
參數(shù)屬性

PDTA123E 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
功能描述

PNP resistor-equipped transistors
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

102.48 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-1 8:48:00
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PDTA123E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).

FEATURES

? Built-in bias resistors

? Simplified circuit design

? Reduction of component count

? Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

? General purpose switching and amplification

? Inverter and interface circuits

? Circuit driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDTA123EK,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 20mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    150mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SMT3; MPAK

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA/安世
22+
SOT23
30000
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NXP(恩智浦)
22+
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原廠原裝現(xiàn)貨
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NEXPERIA/安世
24+
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591000
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家
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NXP/恩智浦
21+
QFN76
6000
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NEXPERIA
22+
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165000
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