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PDTA143EMB分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PDTA143EMB
廠商型號

PDTA143EMB
參數(shù)屬性

PDTA143EMB 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3
功能描述

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓
絲印標識

00100111
封裝外殼

DFN1006B-3 / 3-XFDFN
文件大小

839.15 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-7 11:36:00
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PDTA143EMB規(guī)格書詳情

General description

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PDTC143EMB.

Features and benefits

■ 100 mA output current capability

■ Reduces component count

■ Built-in bias resistors

■ Reduces pick and place costs

■ Simplifies circuit design

■ AEC-Q101 qualified

■ Leadless ultra small SMD plastic

package

■ Low package height of 0.37 mm

Applications

■ Low-current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replaces general-purpose transistors

in digital applications

■ Mobile applications

產品屬性

  • 產品編號：

    PDTA143EMB,315

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    150mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    180MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應商器件封裝：

    DFN1006B-3

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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