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PDTB123EQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123EQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123EQA

50V,500mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123EQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123ES

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTB123ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123ET

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTB123ET

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

Featuresandbenefits *500mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB123ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數

  • 型號：

    PDTB123EK T/R

  • 功能描述：

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

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更多PDTB123EK T/R供應商 更新時間2025-2-14 15:38:00

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