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PDTC115EMB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PDTC115EMB |
參數(shù)屬性 | PDTC115EMB 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | DFN1006B-3 / 3-XFDFN |
文件大小 |
955.98 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-22 11:16:00 |
人工找貨 | PDTC115EMB價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PDTC115EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 250μA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc. |
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