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PDTC115TM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC115TM
廠商型號(hào)

PDTC115TM
參數(shù)屬性

PDTC115TM 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open
封裝外殼

3-XFDFN
文件大小

78.67 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 22:30:00
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PDTC115TM規(guī)格書詳情

General description

NPN resistor-equipped transistors.

Features

■ Built-in bias resistor

■ Reduces component count

■ Simplifies circuit design

■ Reduces pick and place costs

Applications

■ General-purpose switching and amplification

■ Circuit drivers

■ Inverter and interface circuits

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PDTC115TMB,315

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    150mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN1006B-3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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