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PDTD114ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD114ET
廠商型號

PDTD114ET

參數(shù)屬性

PDTD114ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W

功能描述

NPN resistor-equipped transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

50.41 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 8:01:00

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PDTD114ET規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN resistor-equipped transistor in a SOT23 plastic package.

PNP complement: PDTB114ET.

FEATURES

? Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k? each)

? Simplification of circuit design

? Reduces number of components and board space.

APPLICATIONS

? Especially suitable for space reduction in interface and driver circuits

? Inverter circuit configurations without use of external resistors.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTD114ETVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 0.425W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
22+
原廠
9600
詢價
Nexperia(安世)
23+
SOT23
6000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
詢價
NEXPERIA/安世
SOT-23
23+
400000
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持
詢價
NEXPERIA
22+
SMD
273000
詢價
NXP
2023+
SOT-23
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
詢價
NEXPERIA
21+20+
SOT23
27000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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NEXPERIA/安世
22+
NA
35000
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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Nexperia(安世)
23+
SOT-23(TO-236)
7087
Nexperia安世原裝現(xiàn)貨庫存,原廠技術(shù)支持!
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NEXPERIA
23+
原廠原封
219000
訂貨1周 原裝正品
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NEXPERIA/安世
21+
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百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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